1N5251C-TR中文資料參數(shù)規(guī)格
技術(shù)參數(shù)
容差 ±2 %
正向電壓 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
測試電流 5.6 mA
額定功率Max 500 mW
工作溫度Max 200 ℃
工作溫度Min -65 ℃
封裝參數(shù)
安裝方式 Through Hole
封裝 DO-35-2
外形尺寸
長度 3.9 mm
寬度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封裝 DO-35-2
物理參數(shù)
工作溫度 175 ℃
其他
產(chǎn)品生命周期 Active
包裝方式 Tape & Reel TR
符合標(biāo)準(zhǔn)
RoHS標(biāo)準(zhǔn) RoHS Compliant
含鉛標(biāo)準(zhǔn) 無鉛
1N5251C-TR引腳圖與封裝圖
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在線購買1N5251C-TR
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| 1N5251C-TR | Vishay Semiconductor 威世 | 穩(wěn)壓二極管 RECOMMENDED ALT 78-1N5251B | 搜索庫存 |
替代型號1N5251C-TR
| 圖片 | 型號/品牌/封裝 | 代替類型 | 描述 | 替代型號對比 |
|---|---|---|---|---|
| 型號： 1N5251C-TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封裝： DO-204AH | 當(dāng)前型號 | 穩(wěn)壓二極管 RECOMMENDED ALT 78-1N5251B | 當(dāng)前型號 |
| 型號： 1N5251C-TAP 品牌： 威世 封裝： DO-35 | 類似代替 | 穩(wěn)壓二極管 RECOMMENDED ALT 78-1N5251B-TAP | 1N5251C-TR和1N5251C-TAP的區(qū)別 |
| 型號： 1N5251C-TP 品牌： 美微科 封裝： | 功能相似 | DO-35 22V 0.5W1/2W | 1N5251C-TR和1N5251C-TP的區(qū)別 |
| 型號： 1N5251C-1E3 品牌： 美高森美 封裝： | 功能相似 | DO-35 22V 0.5W1/2W | 1N5251C-TR和1N5251C-1E3的區(qū)別 |